ON Semiconductor CAT22C10WI-30-T1
- 收藏
- 对比
CAT22C10WI-30-T1
1807-CAT22C10WI-30-T1
存储器
--
大陆
立即发货

64X4 NON-VOLATILE SRAM, 300ns, PDSO16, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOIC-16
1最小包装量--
CAT22C10WI-30-T1详情
ON Semiconductor CAT22C10WI-30-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
16
Package Description
SOP, SOP16,.4
Package Style
小概要
Part Package Code
SOIC
Risk Rank
5.14
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
安森美半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
SOP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
64 words
Manufacturer Part Number
CAT22C10WI-30-T1
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
300 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Equivalence Code
SOP16,.4
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
64
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
16
JESD-30代码
R-PDSO-G16
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
64X4
座位高度-最大
2.64 mm
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.00003 A
记忆密度
256 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
NON-VOLATILE SRAM
混合内存类型
N/A
长度
10.31 mm
宽度
7.49 mm
CAT22C10WI-30-T1拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。