ON Semiconductor CAT24C01WE-GT3

表面安装

YES

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

触点镀层

Gold, Nickel

Memory Types

Non-Volatile

已出版

2009

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-40°C~125°C TA

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

HTS代码

8542.32.00.51

电压 - 供电

1.7V~5.5V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3.3V

端子间距

1.27mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源

2/5V

电源电压-最小值(Vsup)

1.8V

内存大小

1Kb 128 x 8

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

400kHz

访问时间

900ns

内存格式

EEPROM

内存接口

I2C

组织结构

1KX1

无卤素

无卤素

内存宽度

1

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

待机电流-最大值

0.000002A

记忆密度

1024 bit

并行/串行

SERIAL

串行总线类型

I2C

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5ms

数据保持时间

100

写入保护

HARDWARE

I2C控制字节

1010DDDR

座位高度(最大)

1.75mm

宽度

3.9mm

长度

4.9mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅