ON Semiconductor CAT24WC66WI-G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CAT24WC66

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

SOP, SOP8,.25

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

8000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

SOP8,.25

Operating Temperature-Min

-40 °C

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CAT24WC66WI-G

Number of Words

8192 words

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.82

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e4

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

子类别

EEPROMs

技术

EEPROM

电压 - 供电

2.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源

3/5 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

64Kbit

时钟频率

400 kHz

电源电流-最大值

0.003 mA

访问时间

3.5 µs

内存格式

EEPROM

内存接口

I²C

组织结构

8KX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

10ms

待机电流-最大值

0.000001 A

记忆密度

65536 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

I2C

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

数据保持时间

100

写入保护

HARDWARE

I2C控制字节

1010DDDR

组织的记忆

8K x 8