ON Semiconductor CAT25C256XI-TE13

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CAT25C256

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

SOP, SOP8,.3

Package Style

小概要

Part Package Code

SOIC

Risk Rank

5.76

Ihs Manufacturer

CATALYST SEMICONDUCTOR INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

Catalyst Semiconductor

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

SOP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Number of Words

32768 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

3 MHz

Manufacturer Part Number

CAT25C256XI-TE13

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

85 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Equivalence Code

SOP8,.3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

32000

包装

卷带

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

*

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

技术

EEPROM

电压 - 供电

2.5V ~ 6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

频率

2 MHz

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

6 V

电源

3/5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

界面

SPI, Serial

最大电源电压

6 V

最小电源电压

2.5 V

内存大小

256Kbit

电源电流

10 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

5 MHz

电源电流-最大值

0.01 mA

访问时间

200 ns

内存格式

EEPROM

内存接口

SPI

组织结构

32KX8

座位高度-最大

2.03 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

密度

256 kb

待机电流-最大值

0.000001 A

记忆密度

262144 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

SPI

耐力

100000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

10 ms

数据保持时间

100

写入保护

HARDWARE/SOFTWARE

组织的记忆

32K x 8

宽度

5.25 mm

长度

5.3 mm

达到SVHC

unknown