ON Semiconductor CAT28C64BN-12T
- 收藏
- 对比
CAT28C64BN-12T
1807-CAT28C64BN-12T
无类别的
--
大陆
立即发货

CAT28C64BN-12T datasheet pdf and Unclassified product details from ON Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
CAT28C64BN-12T详情
ON Semiconductor CAT28C64BN-12T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
RoHS
有
Package Description
QCCJ, LDCC32,.5X.6
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
8000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CAT28C64BN-12T
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Catalyst Semiconductor
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
CATALYST SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
7.52
Part Package Code
QFJ
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION = 100 YEARS
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
EEPROMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PQCC-J32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
8KX8
座位高度-最大
3.55 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
65536 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
EEPROM
编程电压
5 V
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5 ms
数据保持时间
100
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
NO
页面尺寸
32 words
宽度
11.425 mm
长度
13.965 mm
CAT28C64BN-12T拓展信息







哦! 它是空的。