ON Semiconductor CAT28LV64N-25T

安装类型

表面贴装

包装/外壳

32-LCC (J-Lead)

表面安装

YES

供应商器件包装

32-PLCC (13.97x11.43)

终端数量

32

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CAT28LV64

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

QCCJ, LDCC32,.5X.6

Package Style

CHIP CARRIER

Part Package Code

QFJ

Risk Rank

5.02

Ihs Manufacturer

CATALYST SEMICONDUCTOR INC

Part Life Cycle Code

Transferred

Manufacturer

Catalyst Semiconductor

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

QCCJ

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Number of Words

8192 words

Manufacturer Part Number

CAT28LV64N-25T

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

250 ns

Reflow Temperature-Max (s)

30

Package Equivalence Code

LDCC32,.5X.6

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

8000

Moisture Sensitivity Levels

3

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

技术

EEPROM

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PQCC-J32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

内存大小

64Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.008 mA

访问时间

250 ns

内存格式

EEPROM

组织结构

8KX8

座位高度-最大

3.55 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

待机电流-最大值

0.0001 A

记忆密度

65536 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

EEPROM

编程电压

3 V

耐力

100000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5 ms

数据保持时间

100

数据轮询

YES

拨动位

YES

命令用户界面

NO

页面尺寸

32 words

组织的记忆

8K x 8

长度

13.97 mm

宽度

11.43 mm

达到SVHC

unknown