ON Semiconductor CAT28LV64N-25T

安装类型

表面贴装

包装/外壳

32-LCC (J-Lead)

表面安装

YES

供应商器件包装

32-PLCC (13.97x11.43)

终端数量

32

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CAT28LV64

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

QCCJ, LDCC32,.5X.6

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

8000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

LDCC32,.5X.6

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

250 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CAT28LV64N-25T

Number of Words

8192 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Catalyst Semiconductor

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

CATALYST SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.02

Part Package Code

QFJ

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

技术

EEPROM

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PQCC-J32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

内存大小

64Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.008 mA

访问时间

250 ns

内存格式

EEPROM

组织结构

8KX8

座位高度-最大

3.55 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

待机电流-最大值

0.0001 A

记忆密度

65536 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

EEPROM

编程电压

3 V

耐力

100000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5 ms

数据保持时间

100

数据轮询

YES

拨动位

YES

命令用户界面

NO

页面尺寸

32 words

组织的记忆

8K x 8

宽度

11.43 mm

长度

13.97 mm