CAT93W66VP2I-GT3
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ON Semiconductor CAT93W66VP2I-GT3

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型号

CAT93W66VP2I-GT3

utmel 编号

1807-CAT93W66VP2I-GT3

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

4-kb Microwire Serial EEPROM Memory, TDFN8, 2x3, 3000-REEL

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CAT93W66VP2I-GT3
CAT93W66VP2I-GT3 ON Semiconductor 4-kb Microwire Serial EEPROM Memory, TDFN8, 2x3, 3000-REEL

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CAT93W66VP2I-GT3详情

ON Semiconductor CAT93W66VP2I-GT3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • Package Description

    HVSON,

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Words Code

    256

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    511AK

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    CAT93W66VP2I-GT3

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    2 MHz

  • Number of Words

    256 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    HVSON

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.55

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.5 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N8

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.8 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    256X16

  • 座位高度-最大

    0.8 mm

  • 内存宽度

    16

  • 记忆密度

    4096 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 内存IC类型

    EEPROM

  • 串行总线类型

    MICROWIRE

  • 备用内存宽度

    8

  • 宽度

    2 mm

  • 长度

    3 mm

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技术文档: ON Semiconductor CAT93W66VP2I-GT3.

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