CPH5871-TL-H
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ON Semiconductor CPH5871-TL-H

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型号

CPH5871-TL-H

utmel 编号

1807-CPH5871-TL-H

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Single N-Channel Power MOSFET with Schottky Diode 30V, 3.5A, 52mΩ, CPH5, 3000-REEL

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CPH5871-TL-H
CPH5871-TL-H ON Semiconductor Single N-Channel Power MOSFET with Schottky Diode 30V, 3.5A, 52mΩ, CPH5, 3000-REEL

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CPH5871-TL-H详情

ON Semiconductor CPH5871-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Continuous Drain Current Id

    3.5

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    318BC

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    CPH5871-TL-H

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Samacsys Description

    Power MOSFET, 30V, 52mQ, 3.5A, single N-Channel with Schottky Diode

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.68

  • Drain Current-Max (ID)

    3.5 A

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    5

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G5

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.052 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 信道型

    N

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: ON Semiconductor CPH5871-TL-H.

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