ON Semiconductor CPH6311-TL-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件包装

6-CPH

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A (Ta)

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

1.6W (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

42mOhm @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1230 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

场效应管特性

-