ON SEMICONDUCTOR CPH6315

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

40 pF

环境耗散-最大值

1.6W