ON Semiconductor CPH6318-TL-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

供应商器件包装

6-CPH

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A (Ta)

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

1.6W (Ta)

Product Status

活跃

操作温度

150°C

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

功率耗散

2 W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

34mOhm @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900 pF @ 6 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

12 V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

6 A

场效应管特性

-

无铅

无铅