ON Semiconductor DTA114YE
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DTA114YE
1807-DTA114YE
集成电路(IC)
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Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
--最小包装量--
DTA114YE详情
ON Semiconductor DTA114YE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
底架
表面贴装
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Reflow Temperature-Max (s)
10
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Risk Rank
5.12
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Manufacturer Part Number
DTA114YE
hFEMin
68
RoHS
Compliant
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
极性
PNP
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
元素配置
Single
功率耗散
200 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.07 A
最小直流增益(hFE)
68
连续集电极电流
100 mA
集电极-发射器电压-最大值
50 V
DTA114YE拓展信息
ON Semiconductor
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