ON Semiconductor DTC123EE
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DTC123EE
1807-DTC123EE
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Pre-biased digital Transistor, 50v V(br)ceo, 100ma I(c), Sot-23va
1最小包装量--
DTC123EE详情
ON Semiconductor DTC123EE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
DTC123EE
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
0.94
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
50 V
DTC123EE拓展信息







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