ON Semiconductor E6N35
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E6N35
1807-E6N35
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E6N35详情
ON Semiconductor E6N35重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
质量
16.187578 mg
Voltage, Rating
200 V
Voltage Rating (DC)
100 V
RoHS
Compliant
容差
0.1 %
终止次数
2
终端
SMD/SMT
温度系数
25 ppm/°C
电阻
953 Ω
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
额定功率
250 mW
最大功率耗散
250 mW
箱码(公制)
3216
箱码(英制)
1206
特征
Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
宽度
1.6 mm
高度
660.4 µm
长度
3.2004 mm
辐射硬化
无
E6N35拓展信息







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