ON Semiconductor EMD4DXV6T1
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EMD4DXV6T1
1807-EMD4DXV6T1
无类别的
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Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary
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EMD4DXV6T1详情
ON Semiconductor EMD4DXV6T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.73
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 463A-01
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
EMD4DXV6T1
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN和PNP
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
80
集电极-发射器电压-最大值
50 V
EMD4DXV6T1拓展信息







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