EMF5XV6T1G
EMF5XV6T1G

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ON Semiconductor EMF5XV6T1G

  • 收藏
  • 对比

型号

EMF5XV6T1G

utmel 编号

1807-EMF5XV6T1G

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
EMF5XV6T1G
EMF5XV6T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

EMF5XV6T1G详情

ON Semiconductor EMF5XV6T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 供应商器件包装

    SOT-563

  • Base Product Number

    EMF5XV

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA, 500mA

  • 厂商

    onsemi

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    活跃

  • 系列

    EMF

  • 功率 - 最大

    357mW

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V

  • 最大集极截止电流

    500nA, 100nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V, 12V

  • 频率转换

    -

  • 电阻基(R1)

    47kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    -

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor EMF5XV6T1G.

EMF5XV6T1G拓展信息

MUN5215DW1T1G
MUN5215DW1T1G

ON Semiconductor

EMC5DXV5T1G
EMC5DXV5T1G

ON Semiconductor

MUN5232DW1T1G
MUN5232DW1T1G

ON Semiconductor

MUN5333DW1T1G
MUN5333DW1T1G

ON Semiconductor

MUN5114DW1T1G
MUN5114DW1T1G

ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G
MUN5111DW1T1G

ON Semiconductor

MUN5233DW1T1G
MUN5233DW1T1G

ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T1G
NSBC114YDXV6T1G

ON Semiconductor

MUN5314DW1T1G
MUN5314DW1T1G

ON Semiconductor

EMD4DXV6T1G
EMD4DXV6T1G

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z