ON Semiconductor EMG5DXV5T1
- 收藏
- 对比
EMG5DXV5T1
1807-EMG5DXV5T1
无类别的
--
大陆
立即发货

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
1最小包装量--
EMG5DXV5T1详情
ON Semiconductor EMG5DXV5T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
卡洛·加瓦齐
Brand
卡洛·加瓦齐
hFEMin
80
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
EMG5DX
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Risk Rank
5.29
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
EMG5DXV5T1
Rohs Code
有
Reflow Temperature-Max (s)
40
Manufacturer Package Code
CASE 463B-01
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Style
小概要
Package Description
CASE 463B-01, 5 PIN
系列
C4O
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
子类别
Controllers
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
COMMERCIAL
极性
NPN
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
230 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
Controllers
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
80
连续集电极电流
100 mA
集电极-发射器电压-最大值
50 V
产品类别
Specialty Controllers
EMG5DXV5T1拓展信息







哦! 它是空的。