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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.864228
10
¥3.645501
100
¥3.439148
500
¥3.24448
1000
¥3.060834
ON Semiconductor EMH1303-TL-E
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- 对比
EMH1303-TL-E
1807-EMH1303-TL-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SMD, Flat Lead
大陆
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P-Channel Power MOSFET, -12V, -7A, 23mΩ, Single EMH8, SOT-383FL / EMH8, 3000-REEL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
EMH1303-TL-E详情
ON Semiconductor EMH1303-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
表面安装
YES
供应商器件包装
8-EMH
Package
Bulk
Base Product Number
EMH1303
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A (Ta)
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Risk Rank
5.18
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Part Life Cycle Code
终身购买
Manufacturer
安森美半导体
Manufacturer Part Number
EMH1303-TL-E
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Package Code
419AT
Moisture Sensitivity Levels
1
系列
-
JESD-609代码
e6
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
子类别
其他晶体管
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
Brand Name
安森美半导体
配置
Single
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
23mOhm @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1100 pF @ 6 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
12 V
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
场效应管特性
-
EMH1303-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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