EMH1303-TL-E
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ON Semiconductor EMH1303-TL-E

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型号

EMH1303-TL-E

utmel 编号

1807-EMH1303-TL-E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SMD, Flat Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-Channel Power MOSFET, -12V, -7A, 23mΩ, Single EMH8, SOT-383FL / EMH8, 3000-REEL

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EMH1303-TL-E
EMH1303-TL-E ON Semiconductor P-Channel Power MOSFET, -12V, -7A, 23mΩ, Single EMH8, SOT-383FL / EMH8, 3000-REEL

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EMH1303-TL-E详情

ON Semiconductor EMH1303-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SMD, Flat Lead

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    8-EMH

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    EMH1303

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    7A (Ta)

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    Obsolete

  • Risk Rank

    5.18

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Part Life Cycle Code

    终身购买

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Manufacturer Part Number

    EMH1303-TL-E

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Package Code

    419AT

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 子类别

    其他晶体管

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    8

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 配置

    Single

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    23mOhm @ 6A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    -

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1100 pF @ 6 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    12 nC @ 4.5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    12 V

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    7 A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.5 W

  • 场效应管特性

    -

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技术文档: ON Semiconductor EMH1303-TL-E.

EMH1303-TL-E拓展信息

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