ON Semiconductor ESD8111FCT5G

包装/外壳

WLCSP-2

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Cd - Diode Capacitance

0.4 pF

Vesd - Voltage ESD Air Gap

30 kV

RoHS

Details

Brand

onsemi

Manufacturer

onsemi

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

60 W

Ipp - Peak Pulse Current

7.1 A

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Unit Weight

0.006893 oz

Vesd - Voltage ESD Contact

30 kV

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Breakdown Voltage / V

5.5 V

Package Description

R-PBCC-N2

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

567AV

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

ESD8111FCT5G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

ESD Suppressors / TVS Diodes

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Breakdown Voltage-Nom

7.9 V

Risk Rank

4.72

包装

Reel

系列

ESD8111

无铅代码

有

附加功能

超低电容

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

IEC-61000-4-2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PBCC-N2

Brand Name

安森美半导体

工作电压

3.3 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箝位电压

8 V

产品类别

ESD抑制器

Rep Pk反向电压-最大值

3.3 V

反向电流-最大值

1 µA

击穿电压-最小值

5.5 V

最大箝位电压

8 V

反向测试电压

3.3 V

击穿电压-最大值

8.6 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes