ON Semiconductor FCB199N65S3

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

98W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 1.4mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SuperFET® III

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

199m Ω @ 7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1225pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14A

漏极-源极导通最大电阻

0.199Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

35A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

76 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准