ON Semiconductor FCP190N60-GF102

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

208W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

包装

Tube

系列

SuperFET® II

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

199m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2950pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

74nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20.2A

RoHS状态

ROHS3 Compliant