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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.382147
10
¥20.171834
100
¥19.030034
500
¥17.952861
1000
¥16.936666
ON Semiconductor FCP190N65S3R0
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- 对比
FCP190N65S3R0
1807-FCP190N65S3R0
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FCP190N65S3R0详情
ON Semiconductor FCP190N65S3R0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
144W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.5V @ 1.7mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET® III
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
190m Ω @ 8.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1350pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FCP190N65S3R0拓展信息
ON Semiconductor
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