FCPF099N65S3
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ON Semiconductor FCPF099N65S3

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型号

FCPF099N65S3

utmel 编号

1807-FCPF099N65S3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 650V 30A TO220F

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FCPF099N65S3
FCPF099N65S3 ON Semiconductor MOSFET N-CH 650V 30A TO220F

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FCPF099N65S3详情

ON Semiconductor FCPF099N65S3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 质量

    2.27g

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    30A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    43W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 系列

    SuperFET® III

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    不适用

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 元素配置

    Single

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    99m Ω @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 3mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2310pF @ 400V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    57nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

FCPF099N65S3拓展信息

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