注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥27.968378
10
¥26.385261
100
¥24.891757
500
¥23.482793
1000
¥22.153571
ON Semiconductor FDA16N50LDTU
- 收藏
- 对比
FDA16N50LDTU
1807-FDA16N50LDTU
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
大陆
立即发货

MOSFET 500V MOSFET UniFET N-channel
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDA16N50LDTU详情
ON Semiconductor FDA16N50LDTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
质量
6.401g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
205W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
380m Ω @ 8.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1945pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
16.5A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDA16N50LDTU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






哦! 它是空的。