ON Semiconductor FDB12N50UTM_WS

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

165W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FRFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

165W

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

800m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1395pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

45ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准