ON Semiconductor FDB6035L

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

29 ns

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

FDB6035L

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.33

Drain Current-Max (ID)

58 A

无铅代码

有

端子表面处理

未说明

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

150 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

58 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.011 Ω

漏源击穿电压

30 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

175 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

12.5 mΩ