ON Semiconductor FDB8874
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FDB8874
1807-FDB8874
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB
1最小包装量--
FDB8874详情
ON Semiconductor FDB8874重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
TO-263AB
Turn Off Delay Time
45 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
110W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21A Ta 121A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
系列
PowerTrench®
已出版
2004
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
121A
元素配置
Single
功率耗散
110W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.7mOhm @ 40A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3130pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 10V
上升时间
135ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
34 ns
连续放电电流(ID)
121A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
3.13nF
漏源电阻
4.7mOhm
最大rds
4.7 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
FDB8874拓展信息
ON Semiconductor
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