ON Semiconductor FDBL86561-F085

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

8-PowerSFN

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

429W Tj

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300A Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-F2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.1m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13650pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

220nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

MO-299A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

300A

漏极-源极导通最大电阻

0.0022Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

1167 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant