ON Semiconductor FDC2512-P
- 收藏
- 对比
FDC2512-P
1807-FDC2512-P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 150V SUPERSOT6
1最小包装量--
FDC2512-P详情
ON Semiconductor FDC2512-P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件包装
SuperSOT™-6
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
FDC2512
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
厂商
onsemi
Power Dissipation (Max)
800mW (Ta)
Product Status
Obsolete
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
PowerTrench®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
425mOhm @ 1.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
344 pF @ 75 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
150 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
FDC2512-P拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。