ON Semiconductor FDC30N20DZ

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

质量

36mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

960mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

31m Ω @ 4.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

535pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.9nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

MO-193AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.031Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

反馈上限-最大值 (Crss)

30 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant