ON Semiconductor FDC5612_G

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SuperSOT™-6

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

800mW (Ta)

厂商

onsemi

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A (Ta)

Base Product Number

FDC5612

Package

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

55mOhm @ 4.3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-