ON Semiconductor FDC5661N-F085
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FDC5661N-F085
1807-FDC5661N-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 60V, 4A, 60mO
--最小包装量--
FDC5661N-F085详情
ON Semiconductor FDC5661N-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
47m Ω @ 4.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
763pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.3A
漏极-源极导通最大电阻
0.047Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
DS 击穿电压-最小值
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDC5661N-F085拓展信息
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