ON Semiconductor FDC608PZ-F171

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

供应商器件包装

SuperSOT™-6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

5.8

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package

Bulk

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.8A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Power Dissipation (Max)

800mW (Ta)

Package Description

SOT-6, 6 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

419BL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

FDC608PZ-F171

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.69

Drain Current-Max (ID)

5.8 A

系列

*

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

无铅代码

有

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G6

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.6

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 5.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1330 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±12V

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.03 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

信道型

P

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.6 W

场效应管特性

-