ON Semiconductor FDC638P-P
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FDC638P-P
1807-FDC638P-P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
Axial
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MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
1最小包装量--
FDC638P-P详情
ON Semiconductor FDC638P-P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
Axial
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
FDC638
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
厂商
onsemi
Power Dissipation (Max)
1.6W (Ta)
Product Status
Obsolete
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-R-10509/8, RN50
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
0.065 Dia x 0.150 L (1.65mm x 3.81mm)
容差
±0.1%
零件状态
活跃
终止次数
2
温度系数
±50ppm/°C
电阻
19.6 kOhms
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.05W, 1/20W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
失败率
--
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1160 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
20 V
Vgs(最大值)
±8V
场效应管特性
-
特征
Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety
座位高度(最大)
--
FDC638P-P拓展信息
ON Semiconductor
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