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'fdc6506'

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品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

晶体管元件材料

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

附加功能

子类别

电压 - 额定直流

最大功率耗散

终端形式

额定电流

通道数量

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

功率 - 最大

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

极性/通道类型

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏源击穿电压

双电源电压

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

最大结点温度（Tj）

场效应管特性

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FDC6506P

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Tin

表面贴装

表面贴装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

6

36mg

SILICON

14 ns

2

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

1999

PowerTrench®

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

6

EAR99

170MOhm

逻辑电平兼容

-30V

960mW

鸥翼

-1.8A

2

Dual

增强型MOSFET

960mW

7 ns

700mW

2 P-Channel (Dual)

SWITCHING

170m Ω @ 1.8A, 10V

3V @ 250μA

190pF @ 15V

3.5nC @ 10V

8ns

8 ns

1.8A

-1.8V

20V

-30V

30V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

150°C

逻辑电平门

1.1mm

3mm

1.7mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

FDC6506P-VB

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

FDC6506P-NB4S006A

FDC6506P-NB4S006A

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

1

150 °C

有

FDC6506P-NB4S006A

Fairchild Semiconductor Corporation

Obsolete

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

5.84

e3

Matte Tin (Sn)

其他晶体管

增强型MOSFET

P-CHANNEL

1.8 A

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0.96 W

compliant