ON Semiconductor FDC655BN_NBNN007
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FDC655BN_NBNN007
1807-FDC655BN_NBNN007
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
1最小包装量--
FDC655BN_NBNN007详情
ON Semiconductor FDC655BN_NBNN007重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
800mW
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 6.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
620pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
FDC655BN_NBNN007拓展信息
ON Semiconductor
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