ON Semiconductor FDC655BN-F40

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

供应商器件包装

SuperSOT™-6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

FDC655

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

800mW (Tc)

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

419BL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

FDC655BN-F40

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

6.3 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

PowerTrench®

无铅代码

有

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G6

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25mOhm @ 6.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

620 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.025 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.6 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

90 pF