ON Semiconductor FDD3680_NL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

64-VFQFN Exposed Pad

表面安装

YES

供应商器件包装

64-QFN (9x9)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tray

厂商

Skyworks Solutions Inc.

Product Status

活跃

Frequency-Max

718.5MHz

Package Description

DPAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FDD3680_NL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.37

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

25 A

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

DSPLL®

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

时钟同步器

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

电压 - 供电

1.71V ~ 1.89V, 3.14V ~ 3.47V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

输出量

CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电路数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Clock, Crystal, LVCMOS

比率-输入：输出

5:7

JEDEC-95代码

TO-252

最大漏极电流 (Abs) (ID)

26 A

锁相环

有

差分 - 输入：输出

Yes/Yes

漏极-源极导通最大电阻

0.046 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

245 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

60 W

除法器/乘法器

Yes/No