ON Semiconductor FDD5N50FTM
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FDD5N50FTM
1807-FDD5N50FTM
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3.5A, 500V, 1.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
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FDD5N50FTM详情
ON Semiconductor FDD5N50FTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
3.5 A
Part Package Code
TO-252AA
Risk Rank
5.3
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
FDD5N50FTM
Rohs Code
有
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Style
小概要
Package Description
ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅代码
有
端子表面处理
未说明
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
1.55 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
14 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
257 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FDD5N50FTM拓展信息







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