ON Semiconductor FDD6512A_NL
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FDD6512A_NL
1807-FDD6512A_NL
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FDD6512A_NL详情
ON Semiconductor FDD6512A_NL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
面板安装
表面安装
YES
越来越多的功能
Flange
外壳材料
铝合金
插入材料
Rubber
终端数量
2
后壳材料,电镀
-
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
700V
Package
Bulk
Primary Material
Metal
Base Product Number
FRCIR
厂商
ITT Cannon, LLC
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Package Description
DPAK-3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FDD6512A_NL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.38
Part Package Code
TO-252
Drain Current-Max (ID)
10.7 A
操作温度
-40°C ~ 125°C
系列
CIR
JESD-609代码
e3
终端
Crimp
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Receptacle, Male Pins
定位的数量
37
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
颜色
Black
应用
Aerospace, Automotive, Communication Systems, Industrial, Instrumentation, Military
紧固类型
卡口锁
子类别
FET 通用电源
额定电流
22A, 13A
端子位置
SINGLE
方向
W
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
Unshielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
入口保护
环境防护
Reach合规守则
not_compliant
外壳完成
黑锌钴
引脚数量
3
外壳尺寸-插入
28-21
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
外壳尺寸,MIL
-
箱体转运
DRAIN
电缆开口
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
最大漏极电流 (Abs) (ID)
36 A
漏极-源极导通最大电阻
0.021 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
雪崩能量等级(Eas)
90 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
43 W
特征
Strain Relief
触点表面处理厚度 - 配套
-
材料可燃性等级
Flame Retardant
FDD6512A_NL拓展信息







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