FDD6512A_NL
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ON Semiconductor FDD6512A_NL

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型号

FDD6512A_NL

utmel 编号

1807-FDD6512A_NL

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

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FDD6512A_NL详情

ON Semiconductor FDD6512A_NL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 表面安装

    YES

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 外壳材料

    铝合金

  • 插入材料

    Rubber

  • 终端数量

    2

  • 后壳材料,电镀

    -

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    700V

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    FRCIR

  • 厂商

    ITT Cannon, LLC

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • Package Description

    DPAK-3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    FDD6512A_NL

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.38

  • Part Package Code

    TO-252

  • Drain Current-Max (ID)

    10.7 A

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 系列

    CIR

  • JESD-609代码

    e3

  • 终端

    Crimp

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    Receptacle, Male Pins

  • 定位的数量

    37

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 颜色

    Black

  • 应用

    Aerospace, Automotive, Communication Systems, Industrial, Instrumentation, Military

  • 紧固类型

    卡口锁

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 额定电流

    22A, 13A

  • 端子位置

    SINGLE

  • 方向

    W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 屏蔽/屏蔽

    Unshielded

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 入口保护

    环境防护

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 外壳完成

    黑锌钴

  • 引脚数量

    3

  • 外壳尺寸-插入

    28-21

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 外壳尺寸,MIL

    -

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 电缆开口

    -

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    36 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.021 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    100 A

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    90 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    43 W

  • 特征

    Strain Relief

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    -

  • 材料可燃性等级

    Flame Retardant

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FDD6512A_NL拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS