ON Semiconductor FDD6670AL_NL
- 收藏
- 对比
FDD6670AL_NL
1807-FDD6670AL_NL
无类别的
--
大陆
立即发货

MOSFET 30V/16V, 5/6MO, NCH, SINGLE, DPAK, 400A GOX, PTIII
1最小包装量--
FDD6670AL_NL详情
ON Semiconductor FDD6670AL_NL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Package Description
DPAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FDD6670AL_NL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.16
Part Package Code
TO-252
Drain Current-Max (ID)
84 A
系列
*
无铅代码
有
端子表面处理
未说明
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.005 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
370 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FDD6670AL_NL拓展信息







哦! 它是空的。