ON Semiconductor FDD9509L-F085
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FDD9509L-F085
1807-FDD9509L-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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PT8P 40V LL DPAK
--最小包装量--
FDD9509L-F085详情
ON Semiconductor FDD9509L-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tj
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 70A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3350pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
75nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±16V
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
90A
漏极-源极导通最大电阻
0.0075Ohm
DS 击穿电压-最小值
40V
雪崩能量等级(Eas)
82 mJ
FDD9509L-F085拓展信息
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