ON Semiconductor FDFMA2P029Z-F106

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.4W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

无铅代码

yes

零件状态

活跃

终止次数

6

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

95m Ω @ 3.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

720pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

JEDEC-95代码

MO-229VCCC

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.095Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

反馈上限-最大值 (Crss)

150 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant