ON Semiconductor FDFMA2P857

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.3V @ 250μA

Turn Off Delay Time

15 ns

Power Dissipation (Max)

1.4W Ta

Number of Elements

1

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.4W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 3A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

435pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

-3A

阈值电压

-700mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

-20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

宽度

2mm

长度

2mm

高度

750μm

RoHS状态

符合RoHS标准

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅