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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥30.605167
10
¥28.872802
100
¥27.238495
500
¥25.696692
1000
¥24.242158
ON Semiconductor FDI038AN06A0_NL
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FDI038AN06A0_NL
1807-FDI038AN06A0_NL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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MOSFET 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDI038AN06A0_NL详情
ON Semiconductor FDI038AN06A0_NL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
LEAD FREE PACKAGE-3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
FDI038AN06A0_NL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Drain Current-Max (ID)
17 A
Part Package Code
TO-262AB
Risk Rank
5.39
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AB
漏极-源极导通最大电阻
0.0038 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
625 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
unknown
FDI038AN06A0_NL拓展信息
ON Semiconductor
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