ON Semiconductor FDI3632
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FDI3632
1807-FDI3632
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V
--最小包装量--
FDI3632详情
ON Semiconductor FDI3632重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
供应商器件包装
I2PAK (TO-262)
质量
2.084g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Ta 80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
310W Tc
Turn Off Delay Time
96 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
100V
额定电流
80A
元素配置
Single
功率耗散
310W
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9mOhm @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 10V
上升时间
39ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
46 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
输入电容
6nF
漏源电阻
7.5mOhm
最大rds
9 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDI3632拓展信息
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