ON Semiconductor FDMC035N10X1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

表面安装

YES

供应商器件包装

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

2.3W (Ta), 50W (Tc)

Product Status

最后一次购买

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

483AX

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

FDMC035N10X1

Turn-on Time-Max (ton)

34 ns

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

115 ns

Risk Rank

5.74

Drain Current-Max (ID)

5.5 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Tin (Sn)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

S-PDSO-N5

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

37mOhm @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2675 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MO-240BA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.037 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

181 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W

场效应管特性

-