ON Semiconductor FDMS3669S-SN00345

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

供应商器件包装

Power56

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

483AJ

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

FDMS3669S-SN00345

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.71

Drain Current-Max (ID)

24 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

PowerTrench®

无铅代码

有

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F6

Brand Name

安森美半导体

配置

SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

功率 - 最大

1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 10V, 34nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MO-240AA

漏极-源极导通最大电阻

0.01 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

55 pF

环境耗散-最大值

2.5 W