FDMW2512NZ
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ON Semiconductor FDMW2512NZ

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型号

FDMW2512NZ

utmel 编号

1807-FDMW2512NZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

20V MONOLITHIC COMMON DRAIN N-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWERTR

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FDMW2512NZ
FDMW2512NZ ON Semiconductor 20V MONOLITHIC COMMON DRAIN N-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWERTR

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FDMW2512NZ详情

ON Semiconductor FDMW2512NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Free Hanging (In-Line)

  • 表面安装

    YES

  • 越来越多的功能

    -

  • 外壳材料

    铝合金和锌压铸件

  • 插入材料

    Polychloroprene

  • 终端数量

    6

  • 后壳材料,电镀

    -

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    50V

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    CA06E

  • 厂商

    ITT Cannon, LLC

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Contact Finish Mating

    Silver

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    FDMW2512NZ

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.39

  • Drain Current-Max (ID)

    7.2 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    MIL-DTL-5015, CA

  • 终端

    焊杯

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    Plug, Male Pins

  • 定位的数量

    14

  • 颜色

    Silver

  • 应用

    Automotive, Aviation, Industrial, Instrumentation, Military, Telecom

  • 紧固类型

    Threaded

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 额定电流

    22A

  • 端子位置

    DUAL

  • 方向

    N (Normal)

  • 终端形式

    无铅

  • 屏蔽/屏蔽

    Unshielded

  • 入口保护

    IP65 - Dust Tight, Water Resistant

  • Reach合规守则

    unknown

  • 外壳完成

    Nickel

  • 引脚数量

    6

  • 外壳尺寸-插入

    22-19

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N6

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 外壳尺寸,MIL

    -

  • 电缆开口

    -

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    7.2 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.026 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    2.2 W

  • 特征

    联接螺母

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    -

  • 材料可燃性等级

    -

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技术文档: ON Semiconductor FDMW2512NZ.

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