ON Semiconductor FDMW2512NZ
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FDMW2512NZ
1807-FDMW2512NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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20V MONOLITHIC COMMON DRAIN N-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWERTR
1最小包装量--
FDMW2512NZ详情
ON Semiconductor FDMW2512NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Free Hanging (In-Line)
表面安装
YES
越来越多的功能
-
外壳材料
铝合金和锌压铸件
插入材料
Polychloroprene
终端数量
6
后壳材料,电镀
-
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
50V
Package
Bulk
Primary Material
Metal
Base Product Number
CA06E
厂商
ITT Cannon, LLC
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Silver
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FDMW2512NZ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.39
Drain Current-Max (ID)
7.2 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
MIL-DTL-5015, CA
终端
焊杯
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Plug, Male Pins
定位的数量
14
颜色
Silver
应用
Automotive, Aviation, Industrial, Instrumentation, Military, Telecom
紧固类型
Threaded
子类别
FET 通用电源
额定电流
22A
端子位置
DUAL
方向
N (Normal)
终端形式
无铅
屏蔽/屏蔽
Unshielded
入口保护
IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Reach合规守则
unknown
外壳完成
Nickel
引脚数量
6
外壳尺寸-插入
22-19
JESD-30代码
R-PDSO-N6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
外壳尺寸,MIL
-
电缆开口
-
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.2 A
漏极-源极导通最大电阻
0.026 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.2 W
特征
联接螺母
触点表面处理厚度 - 配套
-
材料可燃性等级
-
FDMW2512NZ拓展信息
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