ON Semiconductor FDN363N
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FDN363N
1807-FDN363N
无类别的
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1A, 100V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
1最小包装量--
FDN363N详情
ON Semiconductor FDN363N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SUPERSOT-3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
SUPERSOT
Manufacturer Part Number
FDN363N
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.39
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
1 A
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.24 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
8.5 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FDN363N拓展信息







哦! 它是空的。